台积电昨日宣布成功以16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程，为海思产出首颗应用在4G基地台及其他网通设备的处理器。此举证实台积电有机会将16纳米制程的量产时程提前一季，于明年第2季量产。
相较于先前英特尔宣布以14纳米FinFET技术产出的Core M处理器，希望赶在今年底上市，台积电16纳米制程量产时程仅落后半年。
台积电认为，在16纳米方面不会遭遇英特尔以14纳米抢单;唯一能与台积电分庭抗礼者为三星。目前三星规划将以14纳米制程为高通生产手机芯片，预定明年上半量产。
台积电拿16纳米FinFET和目前营收主力28纳米高效能行动运算(28HPM)制程比较，16FinFET制程的芯片闸密度比28纳米多两倍，相同功耗下，速度增快逾40%;相同速度下，功耗降低逾60%。
台积电为海思生产的首颗16纳米全新处理器，采用ARM 32核心Cortex-A57架构，可支援高阶网通应用产品。海思同时也采用台积电CoWoS三维集成电路(3D IC)封装技术。
设备商透露，台积电已对设备协力厂提出采购要求，希望在最短时间内，于明年第1季于南科Fab 14 P7厂，进行16纳米产能扩大装机作业，希望将月产能拉升至5万片。
来源：联合新闻网
