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一.临界效应
如下图所示，A，B两个导体流过相同方向的电流I-A和I-B，当电流按照图中箭头方向突增时，导体A产生的突变磁通ΦA-B在导体B中产生涡流，使其下表面的电流增大，上表面的电流减少。同样导体B产生的突变磁通ΦB-A在导体A中产生涡流，使其上表面电流增大，下表面电流减少。这个现象就是导体之间的临界效应。
同理，以上的分析也适用于两根电流方向相反的情况，A,B两个导体流过相反的电流I-A和I-B，当电流按照图中箭头方向突增时，导体A产生的突变磁通ΦA-B在导体B中产生涡流，使其上表面电流增大，下表面电流减少；同样导体B产生的突变磁通ΦB-A在导体A中产生涡流，使其上表面电流增小，下表面电流减大。
二.一维Dowell模型
上图给出了单层铜箔模型，w和h分别表示铜箔的宽度和厚度，且w>>h，电流沿z方向。设边界条件为：
Hy(x=0)=Hy1
Hy(x=h)=Hy2
则：
由集肤效应引起的损耗Ps为：
由临界效应引起的损耗Pp为:
其中，w为铜箔的宽度，γ为铜箔电导率，▽为集肤深度。需要说明的是由集肤效应引起的损耗Ps与由临界效应引起的损耗Pp是正交的(相互独立)。
则在Z轴方向上铜箔的损耗P为：
END
