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1. 简介
如下所示,前文 [] 给出了基于P-MOSFET的四种浪涌电流抑制方案:


也许有人会问,这样的电路是否会存在P-MOSFET因上电瞬间的浪涌电流而损坏的可能?答案是,在合适选择了P-MOSFET连续漏源电流的情况下,通常不会导致管子损坏。这点,我们后续文章再单独分析。
2. 更新方案
基于前文 [ ] 可知,PNP三极管适合做“高边开关”,NPN三极管适合做“低边开关”,这是由它们的结构或导通关断特性决定的。类似的结论是,P-MOSFET适合做“高边开关”,N-MOSFET适合做“低边开关”(如同步BUCK电路的low-side switch就是N-MOSFET)。所以,我们可以发现,方案A/C就是基于P-MOSFET的浪涌电流抑制电路,放置的位置是电源线的正极,也就是通常所谓的“高边”。本文将要更新的方案E/F就是基于N-MOSFET的浪涌电流抑制电路,放置的位置是电源线的负极,也就是通常所谓的“低边”。
3. 分压电阻值的说明

答案是,不需要。上述两个算式分子上的阻值使用的是R4=47k,这样可以直接得到源极和栅极之间的差值VGS。
如果使用通常的分压公式计算是,当VIN = 60V时,栅极的电压为Vg = 60V * 470k / ( 470k + 47k ) = 54.54V,那么源极与栅极之间的差值为VGS = 60V - 54.54V = 5.46V,殊途同归;当VIN = 100V时,同理。
图5.84所示,在方案F中,取VCC = 60V,N-MOSFET Q4栅极和源极之间的差值,也是可以直接计算的,即 VGS = 60V * 47k / ( 470k + 47k ) = 5.45V。
4. 总结
综合来看,在4类浪涌电流抑制电路中,基于P-MOSFET的A/C方案,基于N-MOSFET的E/F方案,并无优劣之分,只是各自的应用场景有所差异。
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