点击下方关注公众号：电源漫谈
关注，分享，点赞，赞赏，在看，支持优质内容！
大家好，我是电源漫谈，最近由于涉及到SiC MOSFET反向恢复的若干讨论，因此在这里做一个基础性的总结。
MOSFET为什么集成了体二极管？
众所周知，不管是SiC MOSFET还是普通的MOSFET，在漏源极之间都有一个体二极管，如图1所示，这是由于漏源之间的PN结形成，为什么漏源极之间存在一个体二极管呢？我们这里从其内部结构谈起。
图1 MOSFET的示意图
一般来说，NMOSFET具有一个P型衬底，在上面做N型反型区，所以就形成了PN结，从衬底B极上施加一个电压，那么就会导通这个PN结，在内部B级和S级是短路的，所以可以看成从S极到D极的PN极二极管,如图2所示。
对应的，PMOSFET也是一样，它是在N型衬底上反型出两个P型半导体区域，衬底B极和D极之间有PN结，P型区在D极，N型区在B级，内部B极连接在S级，所以对应DS之间有一个体二极管，如图1所示的右侧符号。
图2 NMOSFET的结构图
从图2上看，一般NMOSFET的衬底B连接在源极S极，那么左侧的PN结被短路，只有右侧的从衬底到漏极D的PN结。
寄生体二极管有什么作用？
首先，因为MOSFET自带寄生二极管，当VDS过压时，这个寄生二极管会先反向击穿，将大电流引向地，从而一定程度上避免MOSFET被烧坏。
其次，由于存在寄生体二极管，当漏极和源极反接时，直接产生短路，从而可以避免烧坏MOSFET。或者当电路中出现反向感应电压时，为感应电压提供通路，从而避免MOSFET烧坏。
另外，它具有电路运行方面的一些优势，比如在软开关电路中，内部寄生体二极管在ZVS开关模式下实现续流，所以基本没有反向恢复电流。但是，在硬开关变换器中，如半桥，全桥等存在非ZVS续流，会由于体二极管的反向恢复性能较差，导致尖峰电压及关断浪涌电压，对电路运行造成风险。所以，在Si MOSFET电路中，有时候先串联二极管，再反并联快恢复二极管提供薪的续流通路，而在SiC MOSFET的电路中，情况就得到了改善。