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根据外国科技网站报导，供应链消息指出，高通下一代骁龙855处理器目前已完成流片，使用台积电7纳米制程技术，支援QC 5.0快速充电，还整合人工智能运算NPU单元。
骁龙855预计将在2018年底前亮相，而搭配骁龙855处理器的终端设备要到2019年第1季才会问世。
报导指出，高通目前的骁龙处理器主要使用三星14纳米及10纳米制程技术。上周才发表的骁龙675中端处理器采用三星改良自14纳米制程的11纳米制程。
不过，即使像高通与三星合作这么紧密的伙伴，在下一代制程技术，还是转向台积电。市场人士表示，这情况显示三星在7纳米制程即便使用EUV技术，仍旧有难以突破的瓶颈。
此外，除了代工厂由三星转向台积电，高通新一代处理器命名也将有重大变化。
旗舰级的8系列产品，将变成骁龙1000系命名，例如原来称为骁龙855的处理器，将会有智能手机使用的骁龙8150处理器，另一款则是针对Windows“全时联网”笔记型电脑使用的骁龙8180处理器，频率将高达3GHz，功耗也将降低至15W。
针对这两项产品，日前供应链消息指出，骁龙8150处理器已完成流片，意味着芯片完成大部分工作，并且2018年底前就会正式亮相生产。不过，相关终端产品上市，最快也要到2019年第1季。
报导进一步指出，技术方面，骁龙8150处理器除了升级至7纳米制程，也会加入新技术支援，其中一个就是QC 5.0快充技术，预计充电功率将从目前27W提升到32W，并且从两路电路变成三路电路，提高充电效率，同时也能控制好温度。
NPU方面，骁龙8150处理器还会整合专用NPU，提高人工智能及深度学习等的效能。不过，在这方面华为麒麟处理器、苹果A系列处理器都已领先高通，加入NPU单元。这种方法能提高处理器多少效能，有待未来产品推出后实际验证。
Source：TechNews科技新报
图片声明：封面图片来自正版图片库：拍信网。
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