瑞森案列分享
案例设备:适配器
案例型号:RS10N65F TO-220F
测试要求:EMI Peck 3dB 余量
案例工程师:王升龙
今天给大家分享一则有关EMI余量不足调试的案例。
故事要从我们的业务员小李说起。一天下午,小李和王工谈起了最近遇到的客户,也就是我们本次案例的案例主。
通过前期的沟通,案例主决定测试样品,在温度和效率通过测试后,客户工程师要求外出测试EMI,业务员小李主动要求一起外出陪同测试并负责接送;但遗憾的是我司RS10N65F辐射Peak值只有1.99dB余量,不够3dB余量,未能通过测试;
王工决定试试客户原来所用的品牌对比,结果让王工大跌眼镜,显示其他品牌余量更小,只有0.91dB余量,客户也百思不得其解,后来通过对比怀疑是改PCB版之后或者修改变压器导致;于是客户说该机型还没有过认证,可以进行简单调试及整改。
(点击图片可放大查看)
于是王工主动向案例主要变压器资料、变压器骨架和磁芯,以便通过调整变压器参数。测试多个变压器参数,只更改变压器无法达到3dB余量,一番倒腾后,王工总结了四个可以达到3dB余量的调整方案:
1. 改PCB板,调整Layout
2. D/S之间加33pF/1KV电容
3. 将RCD的二极管改为慢管(温度测试没问题)
4.在MOS 和肖特基管脚上加磁珠
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从波形看,明显可以看出辐射较差的原因是MOSFET关断时,较大dv/dt变化引起了震荡导致。以上的四个方案都没能令案例主满意:增加D/S电容、改RCD慢管等都需要改PCB,客户无法接受;MOSFET和肖特基加磁珠客户觉得会影响生产效率,都不予采纳。
我们非常能理解案例主,涉及重新来过或增加工序都是会影响效率。
为秉承“成就客户的成功,持续为客户提供优质的产品与专业的服务”的客户理念,王工没有放弃,他通过改善变压器参数,找出电源辐射源头,经过测试CS电阻上电压、Vds电压发现,MOSFET关断时震荡严重,去掉加速关断二极管,68Ω驱动电阻直接驱动就可消除震荡,但这势必会引起开关损耗过高,测试温度果然发现高了15度以上,驱动电阻改为33Ω,测试温度只高了5度,并且MOSFET在合理的温度范围内,再次去实验室测试多台样机,辐射余量均有5dB以上余量。
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案例主也对此方案很满意,但更满意的是瑞森的服务态度。在本案例中,王工锲而不舍,无论何时、多少次数都陪同客户一起出去测试。
遇到困难首先想到不是放弃,而是无时无刻站在客户的立场去思考问题,提供解决方案,瑞森式服务也因此成为行业中的美谈。
服务是对客户的一种感情和态度,对客户的服务不能仅仅局限于微笑,更要实打实地为客户解决问题,做出让客户满意的实质性服务。
瑞森的每一位员工都务必牢记“持续为客户提供优质的产品与专业服务,共谋发展”的使命,真正树立“成就客户成功”客户服务理念,精准识别客户的需求,具备客户意识,从客户的立场思考问题,提供超需求的解决方案,创造最佳的服务体验,推动客户向前,帮助客户成功。只有这样,客户才会持续的信赖瑞森,实现共赢。
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瑞森半导体
REASUNOS瑞森半导体起步于2007年,是一家致力于功率半导体电子元器件研发与销售的高新技术型企业。2013年注册成立广东瑞森半导体科技有限公司,总部设在东莞天安数码城园区,同时设有张家港研发中心、台湾研发中心、日本产品验证中心,公司研发团队主要来自台湾、日本及内地顶尖技术精英。
瑞森半导体依靠专业的自主研发能力和强大的制造能力,已获多项知识产权和实用新型专利,每年为行业提供了超500KK性能卓越的半导体产品,全系列产品符合RoHS、REACH环保要求,并通过第三方认证。现有产品包括高压MOSFET,低压MOSFET,超结MOSFET,集成快恢复(FRD)高压MOS,碳化硅MOSFET,碳化硅肖特基,IGBT, Low VF肖特基及系列二、三极管,桥堆等,瑞森半导体已经成为全球开关电源、绿色照明、电机驱动、汽车电子、新能源充电桩、太阳能设备、数码家电、安防工程等行业长期合作伙伴,产品远销国内外。
“成就客户的成功”是瑞森坚守的商业原则,我们始终坚持主动了解客户需求,通过不断研发创新,竭诚为客户提供绿色、节能、高效的功率半导体產品和解决方案,为客户的成功提供强力支撑。展望未来,将紧密结合市场热点,推出更有竞争力的产品和整体解决方案。
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