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根据《韩联社》报导，韩国产业通商资源部3日决定对半导体材料、零部件、设备研发投入6万亿韩元（约 51.3 亿美元）的预算。
有资料显示，2017年韩国半导体材料自产率为50.3%，近期的成长有限。而且韩国在“光刻液”、“高纯度氟化氢”的产量趋近于零。尤其是在半导体铺上电路曝光制程中，需要在硅晶圆上涂上多层“光刻液”，该核心材料目前100%来自日本。
“氟化聚酰亚胺”是PI膜的一种，能用于折叠面板、半导体封装以及3D打印等。而日本的“氟化聚酰亚胺”在全球市占率高达90%。另外，“光刻液”则是应用于集成电路的细微图形加工上，日本在全球市占率也刚达90%。而“高纯度氟化氢”是半导体清洗制程中必备材料，日本在全球市占率为70%。
“光刻液”产业相关人士表示，由于韩国较晚开始发展“光刻液”，在该市场早已被日本、美国所占据，因此一直以来，韩国不敢大举投资该技术。
报导进一步指出，关于这6万亿韩元的投资未来是如何分配，韩国产业部表示，基于上月发布的制造业复兴战略，进一步细化了关于材料、零组件、设备产业的投资方向。
具体来看就是首先在2020年起的10年内，韩国对半导体材料、零组件、设备研发投入1万亿韩元的项目已完成可行性调查。至于普通材料、零组件、设备，韩国政府正在对从2021年开始的6年内投入5万亿韩元的方案进行可行性调查。
虽然韩国产业通商资源部之前曾经公开表示，计划在2022年将自产率提高至70%，并在这5年期间推动2万亿韩元规模的企业合作计划。但半导体产业相关人士指出，政府虽试图自产这些材料，但尚未有新进度。
另一方面，韩国若要赶上日本的技术，不仅开发成本高，而且只有大企业有能力进行，即使技术开发顺利，也很难避开日本的专利情况下，要能藉由投资而降低对日本的依赖，短期内非常困难。
市场人士指出，在半导体方面，三星与SK海力士分别拿下了全球存储器供应第一及第二的位置，DRAM市占率超过70%，NAND Flash方面两家厂商合计也占有绝对多数。
Source：科技新报
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