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投资50亿元，建设用地约1000亩的中国电科（山西）电子信息科技创新产业园即将在山西转型综改示范区投产。
据人民网报道，该项目计划用5年时间，建成“一中心三基地”，即：中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科（山西）三代半导体技术创新中心、中国电科（山西）光伏新能源产业基地。项目达产后，预计形成产值100亿元。
通过吸引上游企业，形成产业聚集效应，打造电子装备制造、三代半导体产业生态链，建成国内最大的碳化硅材料供应基地，积极推动山西经济的转型升级。
大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率，是第三代半导体碳化硅单晶材料最响亮的“名片”，不过，碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。而在中国，碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口，其高昂的售价和不稳定的供货情况大大限制了国内相关行业的发展。
据了解，自2007年，中国电科2所开始着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，目前已经掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。
Source：全球半导体观察关于集邦咨询
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