前言
随着第三代宽带隙器件技术成熟,电源朝着大容量、高频、高压、高效方向发展。为了提高功率密度,电源的工作频率逐渐被提高,可达到Mhz开关频率。对于输入1kV的1MHz LLC变换器,功率开关采用GaN,其开关速度高达6ns,造成dv/dt高达200kV/μs,这对同步整流(SR)技术提出了严峻的挑战。已有学者提出了一种适用于高压的无传感器模型的SR驱动方案,并研制了输入1kV,输出32V/3kW,1MHz的实验样机。目录
1 概述2 高频高压应用的无传感器SR技术3 实验验证4 参考文献1 概述
新能源的快速发展,促进了电力电子技术的发展,如今各行各业的发展均考虑节能和降低成本的需求,电力电子设备朝着高频、高效、高压、大容量方向发展,800V~1kV直流母线将成为未来技术发展的趋势,有望在电动汽车、消费电子、舰船、低压柔性光储等领域实现高功率密度和高效率。为实现高降压比和低绕组损耗,矩阵变压器通常用于高降压转换应用。具有成对SR的多变压器绕组被接受以获得大电流能力。因此,考虑到开关频率为MHz、输入电压为kV应用场合下的共模噪声,能可靠的驱动同步整流管,确保SRs的高效、高可靠性运行。现有的LLC变换器SR驱动方法可以分为四种:①电流驱动方法,②低压漏源电压检测,③高压传感检测,④无传感器方法,原理如图1所示。
2 高频高压应用的无传感器SR技术
通过对现有驱动技术的总结,提出了一种无传感器检测的SR数字驱动方案,其思想是通过建立数学模型,计算与工作频率和负载相关的开通时间和导通时间,从而实现驱动信号的数字自适应调整。实现过程如图2所示。


根据上式,可以得到不同输入电压与导通时间的理论关系,如图3所示。
(2)上谐振区,SR的关断时间计算式如下



3 实验验证
为了验证所提出的无传感器SR驱动方案,搭建了1-MHz的LLC谐振变换器,输入电压为0.9~1.1kV。主电路如图5所示。为了降低开关管的电压应力,采用了堆叠桥式结构,3矩阵变压器原边串联副边并联。1 MHz样机在不同开关频率和负载条件下的波形如图6所示。其中,vAB表示谐振槽电压,iLr表示谐振电流,vgs_s6表示SR的驱动信号,vds_s6表示SR的漏源电压。当vds _ s6在零附近时,副边的电流为正。

4 参考文献
[1] A Sensorless Model-Based Digital Driving Scheme for Synchronous Rectification in 1-kV Input 1-MHz GaN LLC Converters点击下方名片关注公众号
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