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一.一维Dowell模型
设有一层线圈由N匝圆导线组成，每匝导线流过的电流为i，则每层圆导线可以等效为单匝铜箔，流过电流为Ni，其等效过程如下图。
第一步，将一层圆导体等效为相同数量的方形导体，二者的截面积相等；第二步，把这些方形导体合在一起形成一层铜箔，铜箔的厚度等于长方形导体的边长；第三步，将铜箔拉宽，使其宽度与圆导体线圈的宽度相等，而铜箔的厚度不变。这一过程，铜箔截面积增大，电阻减小，为了使两者电阻值相等，需要引入补偿系数来表征铜箔电阻率的增加量。
一层铜箔模型的边界条件：
根据边界条件可以求解Hy(x)为：
由此可得铜箔内部的电流密度J(x)为：
则沿着电流方向上单位长度铜箔的损耗P为：
其中v：
二.多层Dowell模型
根据Dowell模型，设铜箔宽度为w,厚度为h,通过铜箔的电流为i，则边界条件如下：
第一层：
第二层：
第三层:
则：沿着电流方向上单位长度铜箔损耗为：
第一层P1:
第二层P2:
第三层P3：
综上，沿着电流方向上单位长度铜箔损耗P总=P1+P2+P3
