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一.差共模一体电感原理
将共模电感的漏感作为差共模一体电感的差模电感,来实现差共模一体电感集成。
1.共模电感的漏感作为差共模一体电感的差模电感的原理
共模电感漏磁是由N1产生的磁通没有经过N2形成闭合回路,差共模电感接在电路中,当通过差模信号时,漏磁就是差共模电感的净磁通。差共模一体电感产生的磁通可以看作两个线圈的漏磁。漏磁越大,差共模一体电感的差模电感量就越大。
2.共模信号通过差共模一体电感
用EE磁芯中间开气隙来说明差共模电感的工作情况。当共模信号通过差共模一体电感时,此时由于中柱开气隙,磁阻较大,且N1和N2产生的磁通在中柱相互抵消,在大口字形的磁路里相互叠加,所以N1和N2的磁通不会经过中柱,如下图
3.差模信号通过差共模一体电感
用EE磁芯中间开气隙来说明差共模电感的工作情况。当差模信号通过差共模一体电感时,N1和N2产生的磁通在中柱不会产生抵消而是同方向经过中柱,此时大口字形磁路磁阻较小但磁路较长;小口字形磁路较短但由于开气隙磁阻较大。中柱气隙开的大,则经过中柱的磁通较小,差共模电感的漏磁小,差共模电感的差模电感量小;中柱气隙开的小,则经过中柱的磁通较大,差共模电感的漏磁大,差共模电感的差模电感量大。所以可以通过控制中柱气隙大小来调节差共模一体电感的差模电感量。
二.差共模电感磁饱和
以EE磁芯为例说明差共模电感磁饱和。大口字形磁芯和中柱磁芯都有可能造成差共模一体电感磁饱和。
大口字形磁芯由于作为共模电感的主磁路,所以一般选用高磁导率材料。中柱磁芯由于作为漏磁通的磁路且N1和N2的漏磁通都经过中柱,所以中柱一般选用高Bs材料。当差模信号通过差共模一体电感时:
①由于大口字形磁芯时高磁导率材料,所以当漏磁较大时,漏磁通除以截面积得到的B大于高磁导率材料的Bs时,大口字形磁芯是会饱和的。
②由于中柱承受N1和N2之和的漏磁通,所以如果中柱截面积选取较小,或者开的气隙较小,中柱磁芯也会饱和。
END
磁元件设计
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