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电阻,(R)能力越大,(V)责任越大...

电源先生”,解析开关电源????

1. 简介

此文,我们分析个简单的电阻串联电路...图5.84 基于N-MOSFET的浪涌电流抑制电路方案F图5.84所示,是前文 [] 分析的基于N-MOSFET的浪涌电流抑制方案(F)。上电后的稳态条件下,在忽略输入、输出电容和负载(RL4,这里仅做示意,实际的负载可能是各类IC器件)的情况下,R5和R6是串联在VCC和GND_VIN之间的,所以这两个电阻形成分压电路。
如果VCC = 60V,那么容易知道R6电阻两端的电压为60V * 47k / ( 470k + 47k ) = 5.45V,R5电阻两端的电压为60V * 470k / ( 470k + 47k ) = 54.54V。由此可见,在电阻串联电路中,电阻两端的电压与其阻值成正比关系;可以总结为:在电阻串联电路中,阻值越大或者(R)能力越大,压降也越大或者(V)责任越大。

以下,将分析推导上述结论...

2. (R)能力越大,(V)责任越大

图5.85 电阻分压电路图5.85所示,我们容易知道R11与R22这个串联支路上的电流为I = VCC / ( R11 + R22 )  ①所以,基于欧姆定律可知,R11和R22两端的电压分别为V11 = R11 * I = R11 * VCC / ( R11 + R22 )  ②
V22 = R22 * I = R22 * VCC / ( R11 + R22 )  ③

因为在电阻串联电路中,分母 ( R11 + R22 ) 的大小是固定的,所以哪个电阻的阻值更大,哪个电阻上的分压也就越大。

3. 总结

也许有人认为此文分析的问题有些简单;没错,此文就是分析了一个简单的电阻分压电路。简单是复杂的基础;欧姆定律是电学的基础。

图5.85 基于P-MOSFET的浪涌电流抑制电路但是,图5.85所示,当我在文中类似写到“ 如果VIN = 60V,Q5栅极和源极之间差值为 VGS = 60V * 47k / ( 47k + 470k ) = 5.45V ”时,还是有人第一反应是:R7=47k和R8=470k两个电阻是不是需要交换位置后上述计算结果才是正确的?因为我们通常计算电阻分压,分子上是低边电阻的阻值。

所以,经过此文的分析我们就清楚了,Q5栅源之间的差值等效于R7电阻两端的电压;因为R7在串联电阻中,可以认为是高边电阻,其两端的电压的计算,分子上直接是R7的阻值即可,就是 60V * 47k / ( 47k + 470k ) 

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