自2007年DDR3存储器成计算机设备标准后，目前已逐渐无法满足工业与商业应用高效能需求，电子设备工程联合委员会JEDEC在2012年制定出下一代DDR4 DRAM标准规格，DDR4时脉从2133MHz起跳，最高达3200MHz，操作电压降到1.2伏特，有更高效能、更低功耗。
2016年跃升市场主流
英特尔推Haswell-E处理器后，产业发展已臻成熟，预期明年上半年就会有DDR4个人计算机推出，2016年成为存储器市场主流，同时在行动存储器也将会发展到LP DDR4。
三星日前更宣布开始量产业界首见的TSV(Through-Silicon Via，直通硅穿孔)封装的DDR4，抢攻更高阶应用。
美光也已发表DDR4，但考量市场没有需求，并没有正式量产，旗下华亚科、台湾美光存储器将在年底进入量产。
华亚科董事长高启全日前表示，第2季起转进20纳米制程，推进20纳米不仅有助降低生产成本，还可生产更高价格的8G DDR4新应用产品，有助毛利提升。
至于模组厂部分，金士顿宣布，推出DDR4模组存储器Predator，产品9月问世，Predator将推16GB的4条装套组，时脉有2133 MHz到3000 MHz共5种频率可供选择。
威刚上月推Premier系列DDR4模组，最高时脉频率可达2133 MHz ，资料传输频宽高达每秒17 GB，在1.2伏特超低电压运作下，可省20%电力。威刚也推出首支DDR4规格超频存储器XPG Z1，最高时脉频率可达2800 MHz，工作频宽高达每秒22.4 GB，传输效率更胜以往。
宇瞻推出DDR4存储器模组新产品，工作时脉为2133 MHz，资料传输频宽每秒达17GB，效能较前一代提升14%，并减少25%电压，待机功耗也降低近50%。
DRAM厂主管表示，DDR4规格发表会，受到个人计算机产业陷入衰退，加上DRAM大亏后的休养生息，所以推动的速度缓慢，但是在个人计算机即将恢复成长下，同时有效能、省电的优势，相当适合目前行动运算的趋势，因此明年普及的脚步可望加速，很快就会成为主流规格。
来源：苹果日报
