记忆体市场近期不同调，DRAM现货市场转趋观望，4Gb与2Gb DDR3两大主流规格现货价分别跌破4美元与2美元重要关卡，南亚科、华亚科等业者有压。
NAND Flash价格则相对有撑，近期有望重启涨势，群联等后市相对看涨。
法人指出，苹果iPhone 6新机发表后，相机镜头仍停留800万素，只搭载1G的RAM，令市场失望。唯一让人兴奋的，是新机储存空间大增，最大容量上看128GB，是传统机种的二至三倍，大幅拉高NAND芯片需求。
随着苹果升级NAND芯片，对主要NAND芯片供应商东芝、SK海力士、美光及英特尔等，无疑是最大助力。
根据集邦旗下DRAMeXchange昨（15）日晚盘报价，主流DDR3 4Gb DRAM现货价最低价已跌破4美元，来到3.85美元，均价也跌至4.036美元；DDR3 2Gb DRAM均价则正式跌破2美元，来到1.956美元，创下近月新低。
DRAM厂原本冀望中国大陆十一长假将有一波DRAM拉货潮，如今看来拉货效应将不如预期。
NAND芯片走势相对平稳，多维持平盘走势，业者乐观预期，在苹果扩大搭载储存容量的趋势带动下，近期NAND芯片价格将开始走升。
业界分析，全球DRAM龙头三星受苹果积极「去三星化」影响，加上三星手机销售面临苹果及大陆品牌手机厂双重夹杀，市占率节节败退，三星未来一定会思考将过多的DRAM转向其他市场，并且逐步提升目前毛利率最低的标准型DRAM、行动式存储器，甚至是利基型存储器。
来源：联合新闻网
