BusinessKorea 报导，记忆体芯片的微缩制程面临极限，预料 3D 垂直堆栈技术将成兵家必争之地，三星电子、SK 海力士、东芝等纷纷投入研发。
三星电子最近完成 14.3 吋纳米 NAND flash 的研发，将微缩制程目标改为 14.2 吋。
2000 年中期以来，NAND flash 制程从 40 奈米一路降至 16 纳米，业界专家认为 14 纳米将是微缩制程极限，因为 10 纳米 NAND flash 技术上虽然可行，可是所需的设备投资过高，就算生产也难以获利。
微缩制程遭遇瓶颈，业者因此另辟蹊径，改采 3D 垂直架构。报导称，其中三星电子技术最为先进，今年 5 月推出业界首见 V-NAND 技术堆栈 32 层，高于前代的 24 层。部分专家预估，三星可能已经完成 48 层堆栈的原型技术。
东芝也增加 3D NAND 投资，计划不久后开始生产 40-70 层的 V NAND 芯片。SK 海力士也将在今年量产 3D NAND。
业界人士估计，NAND flash 堆栈层可在几年内冲上 100 层。
东芝 9 月 9 日为旗下 NAND Flash 生产据点「四日市工厂」第 5 厂房（Fab 5）的扩建工程（第 2 期工程）举行完工仪式，此次完工的新厂房已自 9 月开始量产采用最先端 15nm 制程技术的 NAND Flash 产品，并预计自 9 月底开始进行出货；东芝已于今年 4 月小量生产 15nm NAND Flash，故上述新厂房加入生产行列后，也宣告东芝将正式大规模量产（开始增产）15nm 产品。
三星电子5 月 9 日宣布，中国西安内存芯片制造厂正式启用、旗下先进 NAND 型闪存「3D V-NAND」将在该厂投产。三星并且表示，西安封装测试厂预计在今年底以前也将会完工。3D V-NAND 将应用于固态硬盘（SSD）等消费、企业应用产品。
传统 NAND 把晶体管依照 X、Y 轴水平排放，但是缩小晶体管体积有其极限，3D NAND 或 V-NAND 加入 Z 轴，可以垂直排放，意味业者不只能在平面放置晶体管，还可以层层堆栈，有助降低生产成本。
来源：MoneyDJ理财网
