三星电子18日宣布，开始量产业界首见的6Gb 20纳米制程LPDDR3行动DRAM。该公司表示，低耗能产品可让高画质的大荧幕行动装置，电池续航力更长、运算速度更快。
三星新闻稿称，6Gb的LPDDR3数据传输速度为2133 Mbps。新品比现行的3GB LPDDR3体积缩小20%、耗电量减少10%。目标在高阶智能手机、平板计算机、穿戴装置等抢下一席之地。
韩联社报导，三星电子8月27日宣布开始量产业界首见的直通硅晶穿孔(Through-Silicon Via、TSV)封装的DDR4模组，速度较前代快上一倍，用电量却只要一半。三星公关主管Kim Ki-hoon表示，TSV技术能直接传送数据，可大幅提升效率。
新推出的DDR4为64GB，供服务器使用，由36个四层芯片组成，每个芯片内含4个4GB DRAM。三星表示，TSV技术还能堆栈更多芯片，模组容量可大于64GB。
三星称量产TSV DRAM模组可让该公司称霸高阶DDR4 DRAM市场，也能为今年下半推出的次世代中央处理器，提供高效解决方案。该公司将于下半年生产64GB以上的高阶DDR4模组。
三星估计，今年全球DRAM市场达386亿美元，其中服务器需求约占20%，预估云端运算盛行会带动高阶DRAM需求。
来源：MoneyDJ 财经网
