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日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体科技有限公司
东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体科技有限公司
东莞市中晶半导体科技有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。
苏州纳维科技有限公司
苏州纳维科技有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍，目前纳维科技GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
镓特半导体科技（上海）有限公司
镓特半导体科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体（重庆）有限公司
聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜科技有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜科技有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯科技有限公司
成都海威华芯科技有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动汽车等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。
江苏能华微电子科技发展有限公司
江苏能华微电子科技发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司。
英诺赛科（珠海）科技有限公司
英诺赛科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠科技有限公司
大连芯冠科技有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
官网介绍称，芯冠科技已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠科技在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
集邦咨询《中国半导体深度分析报告》，全面剖析中国半导体产业及市场，针对产业链不同环节进行深度解读和市场前瞻，为集成电路产业规划、企业扩产提供参考，点击“阅读原文”了解报告详情。
中国半导体产业深度分析报告
第一章 中国半导体产业整体发展现状分析
一、中国IC产业规模
二、中国IC产业链环节构成
三、中国IC市场规模
四、中国IC产业进出口贸易
五、中国IC产业国家政策方向
六、中国IC产业发展面临之挑战
七、中国IC产业发展趋势及商机
八、最新重大事件对中国IC产业之影响
第二章 中国IC产业各区域发展情况分析
一、长三角地区
二、华南沿海地区
三、京津环渤海地区
四、中西部地区
第三章 中国半导体产业投资并购情况分析
一、国家大基金投资运营情况分析
(1)国家大基金的最新运营情况分析
(2)国家大基金产业链各环节投资情况
二、各地方IC产业基金投资运营情况分析
三、中国IC产业并购情况分析
(1)中国IC产业并购规模
(2)中国IC产业并购清单
(3)并购对中国半导体产业的影响分析
第四章 中国IC设计产业发展分析
一、中国IC设计业基本概况
(1)产业规模
(2)企业家数
(3)区域分布
二、中国IC设计企业概况
三、中国本土IC产品在全球竞争力分析
四、中国IC设计业重点产品分析
(1)手机SOC IC
(2)多媒体AP IC
(3)指纹识别IC
(4)CMOS Image Sensor(CIS)
(5)AI IC
五、中国IC设计产业机遇与挑战
(1)半导体下游应用趋势及商机分析
(2)中国IC设计厂商的挑战
第五章 中国IC制造产业发展分析
一、 中国晶圆代工产业发展分析
(1) 产业规模
(2) 晶圆厂分布地图
(3) 主要晶圆代工企业情况
(4) 中国晶圆代工厂的机会与挑战
二、 中国IDM产业发展分析
(1) IDM(功率半导体器件)
(2) IDM(化合物半导体)
三、 中国存储器产业发展分析
(1) 整体竞争格局分析
(2) 主要厂商现况比较
第六章 中国IC封测产业发展分析
一、中国IC封测产业规模
二、中国IC封测企业技术状况
三、中国IC封测厂分布地图
四、中国主要IC封测企业数据比较
(1)基本资料
(2)产品技术比较
(3)营收和获利
(4)产品业务及策略
五、中国IC封测业发展新机遇与挑战
(1)中国IC封测业发展之新机遇
(2)中国IC封测业发展之挑战
第七章 中国半导体设备产业发展分析
一、中国半导体设备产业规模
二、中国半导体设备厂分布地图
三、中国主要半导体制造设备企业数据比较
(1)基本资料
(2)营利和获利
(3)产品业务及策略
四、中国主要半导体封测设备企业数据比较
(1)基本资料
(2)营利和获利
(3)产品业务及策略
五、中国半导体设备产业发展新机遇与挑战
(1)制造设备的机遇与挑战
(2)封测设备的机遇与挑战
第八章 中国半导体材料产业发展分析
一、中国半导体材料产业规模
二、中国半导体材料产业分布地图
三、中国半导体制造材料主要企业发展情况
(1)基本资料和发展现状
(2)营利和获利
四、中国半导体封装材料主要企业发展情况
(1)基本资料和发展现状
(2)营利和获利
五、中国半导体材料产业发展新机遇与挑战
(1)中国半导体制造材料产业发展机遇与挑战
(2)中国半导体封装材料产业发展机遇与挑战
【精选目录】
图表1-1：2014-2019年中国IC产业规模预估
图表1-2：2014-2019年中国IC产业链环节占比
图表2-1：中国各地方省市IC产业布局情况
图表2-2：中国IC产业四大区域之比较
图表3-3：国家大基金投资项目一览表(投资标的/产业属性/投资金额/投资目的或参与事项/资金使用情况/影响分析)
图表3-13：各省市IC产业投资基金一栏表(地区/基金名称/宣布时间/基金规模/发起单位/投资企业)
图表4-1：2014-2019(F)年中国IC设计企业营收及增速
图表4-5：2018年中国IC设计城市排名(BY营收)
图表4-6：中国IC设计业分布地图
图表4-7：中国前三十IC设计企业—营收、投资据点、产品业务、代工伙伴、主营产品分析
图表4-18：中国主要手机SOC厂商—产品业务、主要客户、优劣势及策略
图表4-26：中国主要多媒体SOC厂商—产品业务、主要客户、优劣势及未来策略
图表4-32：中国主要指纹识别IC厂商-产品业务、主要客户、优劣势及未来策略
图表4-35：中国主要CIS IC厂商—产品业务、主要客户、优劣势及策略
图表4-49：未来5年各应用拉动半导体需求的CAGR
图表4-50：中国IC市场竞争期示意图
图表5-1：2014-2019年中国IC制造产业规模
图表5-2：中国主要晶圆厂分布图
图表5-6：中国主要晶圆代工厂—工艺制程及产能利用率
图表5-7：中国主要晶圆代工厂—先进工艺制程技术路线图
图表5-8：中国主要晶圆代工企业—产品业务、主要客户、优劣势及未来策略
图表5-9：2015-2019年中国功率半导体市场规模
图表5-12：中国主要IDM(功率半导体)企业-产品业务、主要客户、优劣势及未来策略
图表5-15：中国主要化合物半导体企业—成立时间、注册资本、总部、主要股东、主要产品业务、化合物半导体发展情况
图表5-18：2005-2019年全球DRAM与NAND FLASH销售规模
图表5-20：中国主要存储器企业—成立时间、背后股东、注册资本额、产品领域、新厂位置、投资金额、月产能、量产制程、预计量产时间
图表5-21：中国DRAM企业与国际大厂技术比较
图表5-22：中国NAND FLASH企业与国际大厂技术比较
图表6-1：2016-2018年中国IC封测产业规模
图表6-5：中国主要IC封测企业的分布图
图表6-7：中国主要IC封测企业—产品、技术及客户
图表7-1：2017-2019年全球半导体设备销售市场分布
图表7-2：2015-2018年中国半导体设备产业销售额
图表7-3：2019年中国半导体设备企业分布图
图表7-6：中国主要半导体制造设备企业—产品客户、优劣势及未来策略
图表7-9：中国主要半导体封测设备企业—产品客户、优劣势及未来策略
图表8-1：2016-2018年全球半导体材料市场区域分布变化
图表8-2：2012-2018中国半导体制造材料市场规模
图表8-3：中国半导体材料产业分布地图
图表8-4：中国主要硅片厂商产品业务及发展现状
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Source：全球半导体观察
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