在开关电源中，如果我们把整个电源比作人体的话，那么MOS管就相当于我们的大脑，相对于大脑对我们人体的控制，MOS管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。
关于MOS管，有很多的参数，比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等，我们之前也说了很多关于MOS管该依照什么方法进行选择和在线路中的使用以及要注意一些什么，那么今天我们换一个方向，我们说一下MOS管的耐压值与其他参数之间的影响。
了解过MOS管的同学应该知道，MOS耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管属于多数载流子导电器件，所以芯片电阻率直接影响器件的导通电阻，通过前人的不断努力计算从而得出：通常MOS的导通电阻会随耐压2.5次方增加，譬如说1000V耐压的MOS管是30V耐压的33.3倍，那么同样封装的芯片的导通电阻就会变成33.3^2.5次方增加，计算得到差不多在6400倍，导通电阻相差这么大就会导致MOS管的开关时间有差异，那么如果我们还想保持导通电阻不变那就只能增大管芯的面积，而增加面积就相当于增加了封装面积尺寸，这样就会导致价格提升，比如我们常见的TO-220封装的耐压为400V的IRF740型MOS，它的导通电阻为0.55Ω，而导通电阻为0.4Ω耐压值为500V的IRF450型MOS则需要TO-247的封装，我们可以看到他们之间的耐压值只相差100V，而封装尺寸则增加1倍。
MOS管耐压对栅极电荷也有一定的影响，我们在一般的应用中，MOS的开关速度实际上是受驱动电路的驱动能力影响，极少部分会出现驱动电路的驱动能力过剩而MOS的速度或自身特性限制了开关速度。MOS管的电荷量是影响开关速度的最主要的因素，我们可以这样简单的理解：100nC的栅极电荷用100mA的电流将其充满或者释放，需要的时间为1us，而30nC的电荷则只需要300ns的时间。或者是在相同的驱动时间，驱动电流可以下降30mA。决定MOS的开关速度的因素是栅极-漏极电荷，我们通常称为Qgt，也就是MOS从导通到阻断或者从阻断到导通的过程中越过“放大区”所需要的电荷，我们称这个电荷为“密勒电荷”。