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一、ZVS
当器件门极信号时，希望器件两端电压降到零。
器件两端的电压可以看做是端电容电压，端电容是器件储能能力的表征，是通过电容充放电用储能行为推算出来的。
如果按照理想开关来，当器件G给信号，Vds电压很大，电容电压来不及释放，电容会通过导电沟道放电，这部分能量全部损耗，Pcoss=1/2*Coss*V^2。
方法：
ZVS通过主电路的行为，让电压在器件G给信号前降到零(包括端电容电压)，然后再让器件导通，形成ZVS零电压导通。
二、ZCS
用PN结说明MOS的ZCS，PN结给反偏截止，给正偏导通。当PN结导通时，大量载流子已经通过耗尽层到达N区，形成导通态，此时，如果关断电流，大量载流子会回到P区，载流子定向移动会形成电流，造成关断损耗(MOS管电压与载流子电流会形成交叠)。
导电沟道的载流子需要恢复到截止态，这过程时如果器件关闭就会造成损耗。
让主电路行为使器件电流到零后再关闭器件G。
三、举例
当fs＞fo时，jwsL＞1/(jwsC)，电路呈现感性，电流滞后电压，有机会实现ZVS。
1.状态1，当Q1导通，Q2关闭，电流走Q1主通道。此时:
a:C1端电压为零，Vsw电压为Vs;
b:C2端电压为2Vs(上端电压Vsw=Vs,下端电压D2=-Vs)；
c:D2体二极管反偏；
2.状态2，当Q1门极关闭，Q2关闭。此时：
a:D1由于C1上正下负，D1反偏截止；
b:D2由于C2上正下负，D2在C2电荷未释放完时，反偏截止；
c:由于电感L电流不同突变，通过C2两端电压上正下负，正好为电感L续流；
d:在C2电荷释放过程中，Vsw电压逐渐趋近-Vs，电容C1两端电压为2Vs；
e:当C2电荷释放完，则此时D2导通，电感L电流通过D2续流；
状态2的关键在于，电流是感性电路，电流滞后电压，当电压为零时，电流不为零，能够提供目标器件的负电流(器件的负电流是负载的正电流，Q2的电流放心是由上到下，所以Q2的负电流就是由下到上)，在死区时间内，电流如果想走二极管则需要先把C上电荷抽干净，形成ZVS。
Q2开通的最佳时间就是C2电荷释放完的瞬间Q2开通，ZVS。
3.Q2完全导通
电感左侧电压Vs右侧电压-Vs，电流从零开始由左向右，通过Q2主通道。此时：
a:C2端电压为零，D2反偏；
b:Vsw=-Vs，C1两端电压为2Vs。
四、总结说明
1.总结：通过感性电路特性，电流滞后电压。当电压为零时，电流不为零，利用此时不为零的电流将器件的电容C的电流抽干净，为ZVS创造条件。
2.说明：由于器件在关闭时，器件承受的电压就等于电容C的电压，利用滞后的电流使C的电压降为零，为ZVS创造条件。
