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一、MOSFET 寄生电容
Ciss:输入电容，DS短路后测得，由Cgs和Cgd并联得，即Ciss=Cgs+Cgd
Coss:输出电容，GS短路后测得，由Cds和Cgd并联得，即Coss=Cds+Cgd
Crss:反向传输电容，在S接地的情况下，测得的G与G之间的电容，也叫米勒电容
二、MOS管开通过程
1.第一阶段 Vgs＜Vgs(th)
♣Vds:因为①过程MOS管为开通，Vds电压等于Vdc电压。如下图
♣Id电流：同理，Id电流为零。
♣Vgs:Vgs未达到开启电压，驱动电路中的Ig电流先对Cgs充电，Vgs电压指数上升，如上图①过程中的Vgs。
■对应MOS管结构，此时Vgs有电压，但是未达到Vgs(th)，
Vgs＜Vgs(th)
又因为Vds＞0
所以Vgd＜Vgs＜Vgs(th)
2.第二阶段 恒流区
恒流区gm=Id/(Vgs)，可变电阻区，Id由Vgs决定，
♣Vgs：第②过程中，Ig继续给Cgs充电，Vgs电压继续上升
♣id：因为id=gm*Vgs，所以这个阶段id跟着Vgs上升，MOS管输出曲线反应出来的则是工作点沿着Ugs直线上升，直到Id等于负载电流时停止，第二个阶段结束。
♣Vds：当id为出现时，Vds=Vdc。当MOS管未导通时，电感电流通过二极管续流。当开始出现id时，iL=iD+iF,电感电流从二极管开始转移至MOSFET,但是在转移过程中，二极管依然是导通的,所以Vds电压被二极管钳制了，依然是Vdc。(Vdc应该还是有下降？)
■此时对应MOS管结构，此时Vds电压不变，但是Vgs电压上升，所以导电沟道变宽，导致夹断区变短。
3.米勒平台（恒流区）
由于Vgs电压不变，id=gm*Vgs，所以输出电流id也不变，
所以此时，驱动电流只能往上走到Cgd，给Cgd充电，(也正因为要给Cgd充电，所以Vgs电压基本保持不变)
MOS管沟道慢慢打开，沟道电阻下降，Vds电压下降，
直到MOSFET完全导通，到饱和区
♣Vgs：Vgs电压不变，
♣id:Vgs电压不变，id=gm*Vgs，id不变，
♣Vds：因为此时沟道已经开始打开，沟道电阻降低，Vds电压下降；
为什么会造成弥勒平台：
因为MOS开通时，Vd＞Vg，Vgd先通过MOS管放电，然后再反向充电，夺取了给Cgs充电的电流，造成Vgs电压不变，所以造成米勒平台。
■此时对应MOS管结构，此时Vgs电压不变，导电沟道宽度不变，但是Vds电压下降，导致夹断区变短。
第③过程与第②过程均导致夹断区短，但是稍有不同。
4.饱和区
ig同时对Cgs与Cgd充电，直到Vgs等于驱动电压。
三、总结：
通过下面两图可以总结出MOS开通过程中，id，Vds，Vgs变化
