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一、场效应管分类
1.两类电场效应
FET:field effect transistor
①PN结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应
在PN结施加反向电压，耗尽层会逐渐变宽，通过改变耗尽层宽度来对导电通道进行控制。
②电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应
当在电容左基板上施加正电荷，P型半导体的自由电子会向左侧运动，随着左侧基板电压增大，自由电子会在P型半导体左侧汇集，当电压增加到一定程度，P型半导体左侧区域会形成反型层(P型半导体的多子时空穴，而这里自由电子较多，所以称为反型层)
2.场效应管分类
①结型场效应管
通过改变PN结耗尽层宽度随反向电压变化的场效应管
②增强型MOS管
通过电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应管
栅-源不加电压时，漏-源不存在导电沟道
③耗尽型MOS管
通过电容正负电荷吸引力构建导电通道的场效应管
栅-源不加电压时，漏-源存在导电沟道
二、结型场效应管结构
1.N沟道结型场效应管结构
①在同一块N型半导体上，制作两个高掺杂的P区，并连在一起，所引出的电极称为栅极s
②N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为漏极d，一个称为源极s
③P区与N区的交界面形成耗尽层(不导电)
④漏-源之间的非耗尽层区域称为导电沟道(导电)
2.晶体管与场效应管的区别
♣晶体管：电流要经过P区和N区，穿过PN结
♣场效应管：电流只流过N区，不穿过PN结
3.结型场效应管分类
通过箭头指向判断时哪种结型场效应管
箭头指向的为N沟道结型场效应管
三、结型场效应管工作原理
1.Ugs对导电沟道的控制(Uds=0)
①当Ugs=0时
耗尽层窄，导电沟道宽
②当Ugs＞0时
PN结正偏，耗尽层变窄， 导电沟道变宽(但是影响小，因为本就导电沟道就很宽)
③Ugs(off)＜Ugs＜0
PN结反偏，耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大
④Ugs=Ugs(off)＜0
耗尽层闭合，导电沟道消失，沟道电阻无穷大
⑤总结
Ugs＞Ugs(off)
Ugd＞Ugs(off)
当Ugd＝Ugs(off)时，称为预夹断
2.漏-源电压Uds对漏极电流id的影响
①Ugs＞Ugs(off),Uds=0
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugd=Ugs
但是因为Uds=0，所以id=0
②Ugs＞Ugs(off),Uds逐渐增大
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugd＜Ugs
所以漏极导电沟道会变窄，
Ugs不变，沟道电阻不变
③Ugs＞Ugs(off),Uds=Ugs-Ugs(off)
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugd＝Ugs(off)
漏极导电沟道开始出现夹断
④Ugs＞Ugs(off),Uds＞Ugs-Ugs(off)
因为Ugd=Ugs-Uds
Ugd＜Ugs(off)
漏极的夹断区逐渐加长
⑤总结
♣Uds增大，d-s电场增大，id增大；
♣Uds增大，夹断区边长，d-s电阻便把，id减小；
漏极电流id仅仅取决于Ugs，而与Uds无关，表现出恒流特性
3.总结
两断截止，两通阻，一通一断时恒流
