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一.共模信号通过差共模一体电感
以EI磁芯为例，当共模信号通过差共模一体电感时，在两边柱相互加强，对共模信号的抑制作用加强。在中柱两个线圈产生的磁通相互抵消，所以没有磁通经过中柱（忽略差共模电感漏磁）。虽然磁芯磁通加强了，但共模信号比差模信号小很多，所以磁芯依然不易饱和。如果共模信号电流过大，磁芯依然会饱和。
二.差模信号通过差共模一体电感
以EI磁芯为例，当差模信号通过差共模一体电感时，两个线圈产生的磁通相互抵消，漏感磁通大部分从中柱通过，通过中柱的磁通都是漏磁通即差共模一体电感的差模电感。下图展示的磁通是漏磁通。
如果差共模一体电感的漏感满足需求，不需要加中柱。中柱的作用是给漏磁通提供通路，提高差模电感量。
END
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